首页 > 商品目录 > > > > AOD7S65代替型号比较

AOD7S65  与  IPD65R660CFDATMA1  区别

型号 AOD7S65 IPD65R660CFDATMA1
唯样编号 A-AOD7S65 A36-IPD65R660CFDATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1 Ohms -
功率耗散(最大值) - 62.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 650mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 2.7 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 615pF @ 100V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 7A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 434 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 660 毫欧 @ 2.1A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 224 -
Td(off)(ns) 55 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 89W -
Qrr(nC) 2800 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 200uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 650V
Coss(pF) 30 -
Qg*(nC) 9.2* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD7S65 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 当前型号
IPD60R650CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R650CE_PG-TO252-3

¥3.663 

阶梯数 价格
20: ¥3.663
100: ¥2.827
1,250: ¥2.453
1,374 对比
IPD65R660CFDATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R660CFD_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
TK7P65W,RQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
IPD65R660CFDATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD65R660CFD_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD60R650CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R650CE_PG-TO252-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售