AOD7S65 与 IPD60R650CEAUMA1 区别
| 型号 | AOD7S65 | IPD60R650CEAUMA1 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOD7S65 | A-IPD60R650CEAUMA1 |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | CONSUMER | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 1 Ohms | - |
| Td(off)(ns) | 55 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 650mΩ@10V | - |
| ESD Diode | No | - |
| 漏源极电压Vds | 650V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 89W | - |
| Qrr(nC) | 2800 | - |
| VGS(th) | 4 | - |
| Qgd(nC) | 2.7 | - |
| 栅极电压Vgs | 30V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| Td(on)(ns) | 21 | - |
| 封装/外壳 | TO-252 | PG-TO252-3 |
| 连续漏极电流Id | 7A | - |
| Ciss(pF) | 434 | - |
| Schottky Diode | No | - |
| Trr(ns) | 224 | - |
| Coss(pF) | 30 | - |
| Qg*(nC) | 9.2* | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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