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AOD7N60  与  IPD80R1K4CEATMA1  区别

型号 AOD7N60 IPD80R1K4CEATMA1
唯样编号 A-AOD7N60 A36-IPD80R1K4CEATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 7.3 -
功率耗散(最大值) - 63W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1300mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 6.9 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 570pF @ 100V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 25 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 7A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 975 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.4 欧姆 @ 2.3A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 388 -
Td(off)(ns) 58 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 178W -
Qrr(nC) 4400 -
VGS(th) 4.5 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 240uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.9A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 800V
Coss(pF) 88 -
Qg*(nC) 19.3* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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