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AOD5B60D  与  IRG4RC10KDTRPBF  区别

型号 AOD5B60D IRG4RC10KDTRPBF
唯样编号 A-AOD5B60D A-IRG4RC10KDTRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 IGBT晶体管 IGBT晶体管
描述 IRG4RC10K Series 600 V 9 A Surface Mount UltraFast Speed IGBT - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
25°C时Td(开/关)值 - 49ns/97ns
功率 54.4W 38W
电流-集电极(Ic)(最大值) - 9A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 20A 18A
反向恢复时间(trr) 98ns 28ns
输入类型 标准 标准
电压-集射极击穿(最大值) - 600V
脉冲电流-集电极(Icm) - 18A
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 23A 9A
封装/外壳 TO-252,(D-Pak) D-Pak
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 1.8V @ 15V, 5A 2.62V @ 15V,5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
开关能量 140µJ(开),40µJ(关) 250µJ(开),140µJ(关)
不同 Vge,Ic时的 Vce(on) - 2.62V @ 15V,5A
测试条件 400V,5A,60 欧姆,15V 480V,5A,100 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/82ns 49ns/97ns
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD5B60D AOS  数据手册 IGBT晶体管

54.4W -55°C~150°C(TJ) TO-252,(D-Pak)

暂无价格 20 当前型号
IRGR3B60KD2TRP Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C~150°C(TJ) 52W

暂无价格 0 对比
IRG4RC10KDTRPBF Infineon  数据手册 IGBT晶体管

-55°C~150°C(TJ) 38W D-Pak

暂无价格 0 对比
IRGR3B60KD2TRRP Infineon  数据手册 IGBT晶体管

52W -55°C~150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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