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AOD514  与  IRLR8726PBF  区别

型号 AOD514 IRLR8726PBF
唯样编号 A-AOD514 A-IRLR8726PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 75 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Sruface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 60 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.9mΩ@10V 5.8mΩ@25A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 11.9mΩ -
Qgd(nC) 3.6 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 7.3 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 46A 86A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 1187 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2150pF @ 15V
Trr(ns) 14.7 -
Td(off)(ns) 21.8 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 50W 75W(Tc)
Qrr(nC) 24 -
VGS(th) 2.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 50µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2150pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 4.5V
Coss(pF) 483 -
Qg*(nC) 8.8 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD514 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 30V 20V 46A 50W 5.9mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STD86N3LH5 STMicro  数据手册 功率MOSFET

70W(Tc) 175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 22V 80A 5mΩ

暂无价格 0 对比
BUK9207-30B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9207-30B_SOT428 N-Channel 167W 185℃ 1.5V 30V 75A

¥15.3792 

阶梯数 价格
400: ¥15.3792
1,000: ¥10.6064
1,250: ¥8.9885
2,500: ¥7.3676
0 对比
STD86N3LH5 STMicro  数据手册 功率MOSFET

70W(Tc) 175°C(TJ) DPAK N-Channel 30V 22V 80A 5mΩ

暂无价格 0 对比
IRLR7833TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.5mΩ@15A,10V N-Channel 30V 140A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR8726PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 75W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.8mΩ@25A,10V N-Channel 30V 86A D-Pak

暂无价格 0 对比

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