AOD4S60 与 R6004ENDTL 区别
| 型号 | AOD4S60 | R6004ENDTL | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A-AOD4S60 | A33-R6004ENDTL | ||||||||||||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 | |||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| Crss(pF) | 0.75 | - | ||||||||||||
| 功率耗散(最大值) | - | 20W(Tc) | ||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@10V | - | ||||||||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||||||||
| Qgd(nC) | 1.8 | - | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 250pF @ 25V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 30V | - | ||||||||||||
| Td(on)(ns) | 18 | - | ||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | CPT3 | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | 4A | - | ||||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||||
| Ciss(pF) | 263 | - | ||||||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 980 毫欧 @ 1.5A,10V | ||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 10V | ||||||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||||||
| Trr(ns) | 177 | - | ||||||||||||
| Td(off)(ns) | 40 | - | ||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | - | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 56.8W | - | ||||||||||||
| Qrr(nC) | 1500 | - | ||||||||||||
| VGS(th) | 4.1 | - | ||||||||||||
| FET类型 | N-Channel | N 通道 | ||||||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 4V @ 1mA | ||||||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 4A(Tc) | ||||||||||||
| 漏源电压(Vdss) | - | 600V | ||||||||||||
| Coss(pF) | 21 | - | ||||||||||||
| Qg*(nC) | 6* | - | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 15nC @ 10V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 0 | 1,649 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AOD4S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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STD9N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 517,500 | 对比 | ||||||||||||||
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STD7NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 45W(Tc) 900mΩ@2.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 5A |
暂无价格 | 105,000 | 对比 | ||||||||||||||
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STD5NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 40,000 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥7.2923
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2,150 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥7.2923
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1,649 | 对比 |
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