| 型号 | AOD4S60 | STD7NM60N |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOD4S60 | A3-STD7NM60N |
| 制造商 | AOS | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 600 V 0.9 Ohm 14 nC 45 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 0.75 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@10V | 900mΩ@2.5A,10V |
| ESD Diode | No | - |
| Qgd(nC) | 1.8 | - |
| 栅极电压Vgs | 30V | ±25V |
| Td(on)(ns) | 18 | - |
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK |
| 连续漏极电流Id | 4A | 5A |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 263 | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Schottky Diode | No | - |
| Trr(ns) | 177 | - |
| Td(off)(ns) | 40 | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 56.8W | 45W(Tc) |
| Qrr(nC) | 1500 | - |
| VGS(th) | 4.1 | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 363pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 14nC @ 10V |
| Coss(pF) | 21 | - |
| Qg*(nC) | 6* | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 105,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD4S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 4A 56.8W 900mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
STD9N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 517,500 | 对比 | ||||||||||||||
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STD7NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 45W(Tc) 900mΩ@2.5A,10V 150°C(TJ) DPAK N-Channel 600V 5A |
暂无价格 | 105,000 | 对比 | ||||||||||||||
|
|
STD5NM60T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 40,000 | 对比 | ||||||||||||||
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R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥7.2923
|
2,150 | 对比 | ||||||||||||||
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|
R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
￥7.2923
|
1,649 | 对比 |
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