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AOD478  与  IRLR3410PBF  区别

型号 AOD478 IRLR3410PBF
唯样编号 A-AOD478 A-IRLR3410PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 79 W 34 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 16 -
Td(off)(ns) 17 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 140mΩ@10V 105mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Rds On(Max)@4.5V 152mΩ -
Pd-功率耗散(Max) 45W 79W(Tc)
Qrr(nC) 97 -
VGS(th) 2.8 -
Qgd(nC) 2.4 -
栅极电压Vgs 20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) 8 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 11A 17A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 445 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 800pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 5V
Trr(ns) 21 -
Coss(pF) 29 -
Qg*(nC) 5.1 Ohms -
库存与单价
库存 7 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥2.5323
100+ :  ¥1.9926
1,000+ :  ¥1.5583
2,500+ :  ¥1.2155
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