AOD444 与 RSD050N06TL 区别
| 型号 | AOD444 | RSD050N06TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOD444 | A33-RSD050N06TL |
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5A CPT3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 27 | - |
| 功率耗散(最大值) | - | 15W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@12A,10V | - |
| Rds On(Max)@4.5V | 85mΩ | - |
| Qgd(nC) | 1.9 | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 290pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| Td(on)(ns) | 4.2 | - |
| 封装/外壳 | TO-252 | CPT3 |
| 连续漏极电流Id | 12A | - |
| 工作温度 | -55°C~175°C | 150°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 450 | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | - | 109 毫欧 @ 5A,10V |
| Vgs(最大值) | - | ±20V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4V,10V |
| Trr(ns) | 27 | - |
| Td(off)(ns) | 16 | - |
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 20W | - |
| Qrr(nC) | 30 | - |
| VGS(th) | 3 | - |
| FET类型 | N-Channel | N 通道 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 1mA |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | - | 5A(Ta) |
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V |
| Coss(pF) | 61 | - |
| Qg*(nC) | 3.8 | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 8nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 27 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STD16NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 30,000 | 对比 |
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STD12NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 |
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IRLR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 45W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 65mΩ@10A,10V N-Channel 55V 17A D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
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IRFR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 45W(Tc) 75mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 17A 55V D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 CPT3 |
暂无价格 | 27 | 对比 |
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