首页 > 商品目录 > > > > AOD424代替型号比较

AOD424  与  IRLR3717TRRPBF  区别

型号 AOD424 IRLR3717TRRPBF
唯样编号 A-AOD424 A-IRLR3717TRRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 580 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.4mΩ@20A,4.5V 4mΩ@15A,10V
Rds On(Max)@4.5V 5.7mΩ -
Qgd(nC) 12 -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 45A 120A(Tc)
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 3860 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.45V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2830pF
Trr(ns) 17 -
Td(off)(ns) 70 -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 100W 89W(Tc)
Qrr(nC) 36 -
VGS(th) 1.6 -
FET类型 N-Channel N-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 31nC
Coss(pF) 740 -
Qg*(nC) 36 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD424 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 20V ±12V 45A 100W 4.4mΩ@20A,4.5V -55℃~175℃

暂无价格 0 当前型号
IRLR3717PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 89W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@15A,10V N-Channel 20V 120A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR3717TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 89W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@15A,10V N-Channel 20V 120A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR6225TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±12V 63W(Tc) -50°C~150°C(TJ) 4mΩ@21A,4.5V N-Channel 20V 100A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR6225PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-50°C~150°C(TJ) 100A 5.2mΩ 63W

暂无价格 0 对比
IRLR3717TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 20V 120A(Tc) ±20V 89W(Tc) 4mΩ@15A,10V -55°C~175°C(TJ) DPAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消