首页 > 商品目录 > > > > AOD4130代替型号比较

AOD4130  与  RSD221N06TL  区别

型号 AOD4130 RSD221N06TL
唯样编号 A-AOD4130 A-RSD221N06TL
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 67 -
功率耗散(最大值) - 850mW(Ta),20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 30mΩ -
Qgd(nC) 7.2 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1500pF @ 10V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 7.5 -
封装/外壳 TO-252 CPT3
连续漏极电流Id 30A -
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1582 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 26 毫欧 @ 22A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 22 Ohms -
Td(off)(ns) 33 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 52W -
Qrr(nC) 76 -
VGS(th) 2.8 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 22A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
Coss(pF) 100 -
Qg*(nC) 13.4 -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD4130 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V 20V 30A 52W 24mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
RSD221N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 CPT3

暂无价格 0 对比
IRFR1205TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 107W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 27mΩ@26A,10V N-Channel 55V 44A D-Pak

暂无价格 0 对比
PJD25N06A_L2_00001 Panjit  数据手册 功率MOSFET

TO-252AA 20V N-Channel

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售