AOD407 与 TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 区别
| 型号 | AOD407 | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOD407 | A36-TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | ||||
| 制造商 | AOS | Toshiba | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散Pd | 50W | 27W(Tc) | ||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||
| 漏源极电压Vds | -60V | 60 V | ||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 104 毫欧 @ 4A,10V | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 890 pF @ 10 V | ||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 1mA | ||||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 19 nC @ 10 V | ||||
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK+ | ||||
| 连续漏极电流Id | -12A | 8A(Ta) | ||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | 175°C(TJ) | ||||
| Vgs(最大值) | - | +10V,-20V | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | ||||
| 导通电阻Rds(On) | 115mΩ@12A,10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 99 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） |
|
|
||||
| 购买数量 | ||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
￥2.256
|
0 | 当前型号 | ||||||||||
|
DMP6180SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252(DPAK) |
￥3.312
|
11,220 | 对比 | ||||||||||
|
ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252 |
￥2.3868
|
6,736 | 对比 | ||||||||||
|
NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
￥2.616
|
2,509 | 对比 | ||||||||||
|
|
ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||
|
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 27W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
￥7.092
|
99 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
