AOD407 与 TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 区别
| 型号 | AOD407 | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOD407 | A33-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)-1 | ||||||||||||||||||||
| 制造商 | AOS | Toshiba | ||||||||||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK | |||||||||||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 115mΩ@12A,10V | - | ||||||||||||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||||||||||||
| 漏源极电压Vds | -60V | 60 V | ||||||||||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 50W | 27W(Tc) | ||||||||||||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 104 毫欧 @ 4A,10V | ||||||||||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 890 pF @ 10 V | ||||||||||||||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 1mA | ||||||||||||||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | - | ||||||||||||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 19 nC @ 10 V | ||||||||||||||||||||
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK+ | ||||||||||||||||||||
| 连续漏极电流Id | -12A | 8A(Ta) | ||||||||||||||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | 175°C(TJ) | ||||||||||||||||||||
| Vgs(最大值) | - | +10V,-20V | ||||||||||||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | ||||||||||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||||||||||
| 库存 | 2,493 | 1,829 | ||||||||||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 21 - 28天 | ||||||||||||||||||||
| 单价(含税) |
|
|
||||||||||||||||||||
| 购买数量 | ||||||||||||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD407 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 P-Channel -60V 20V -12A 50W 115mΩ@12A,10V -55°C~175°C |
¥5.64
|
2,493 | 当前型号 | ||||||||||||||
|
NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
暂无价格 | 127,500 | 对比 | ||||||||||||||
|
NTD2955T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 55W(Tj) -55°C~175°C(TJ) 180mΩ@6A,10V P-Channel 60V 12A(Ta) DPAK |
¥2.233
|
15,530 | 对比 | ||||||||||||||
|
ZXMP6A17KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 2.11W(Ta) ±20V TO-252-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 4.4A(Ta) |
¥2.1879
|
7,336 | 对比 | ||||||||||||||
|
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 27W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 60 V 8A(Ta) |
¥6.152
|
1,829 | 对比 | ||||||||||||||
|
DMP6180SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.7W(Ta) 110mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 60V 14A |
¥1.738
|
279 | 对比 |