AOD2910E 与 IRLR2908PBF 区别
| 型号 | AOD2910E | IRLR2908PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOD2910E | A-IRLR2908PBF |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 80 V 110 W 22 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 6.3 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 23mΩ@20A,10V | 28mΩ@23A,10V |
| ESD Diode | Yes | - |
| Rds On(Max)@4.5V | 33mΩ | - |
| Qgd(nC) | 2.5 | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±16V |
| Td(on)(ns) | 7 | - |
| 封装/外壳 | TO-252 | D-Pak |
| 连续漏极电流Id | 37A | 39A |
| 工作温度 | -55°C~175°C | -55°C~175°C(TJ) |
| Ciss(pF) | 1200 | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1890pF @ 25V |
| Trr(ns) | 25 | - |
| Td(off)(ns) | 20 | - |
| 漏源极电压Vds | 100V | 80V |
| Pd-功率耗散(Max) | 71.5W | 120W(Tc) |
| Qrr(nC) | 120 | - |
| VGS(th) | 2.7 | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1890pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 33nC @ 4.5V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 33nC @ 4.5V |
| Coss(pF) | 93 | - |
| Qg*(nC) | 8 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
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