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AOD2810  与  TK33S10N1Z,LQ  区别

型号 AOD2810 TK33S10N1Z,LQ
唯样编号 A-AOD2810 A-TK33S10N1Z,LQ
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 14 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@20A,10V -
Rds On(Max)@4.5V 12mΩ -
产品状态 - 在售
Qgd(nC) 4 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2050 pF @ 10 V
Vgs(th) - 4V @ 500uA
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 11.5 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 28 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252 DPAK+
连续漏极电流Id 46A 33A(Ta)
工作温度 -55℃~175℃ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 1871 -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Trr(ns) 32 -
Td(off)(ns) 21.5 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V 100 V
Pd-功率耗散(Max) 100W 125W(Tc)
Qrr(nC) 162 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 9.7 毫欧 @ 16.5A,10V
VGS(th) 3.4 -
FET类型 N-Channel N-Channel
Coss(pF) 265 -
Qg*(nC) 26.5* -
库存与单价
库存 6,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2810 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 80V ±20V 46A 100W 8.5mΩ@20A,10V -55℃~175℃

暂无价格 6,000 当前型号
IPD70N10S312ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70N10S3-12_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD70N10S3-12 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70N10S312ATMA1_100V 70A 11.1mΩ 10V 125W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
TK33S10N1Z,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 125W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 100 V 33A(Ta)

暂无价格 0 对比

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