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AOD2810  与  IPD70N10S312ATMA1  区别

型号 AOD2810 IPD70N10S312ATMA1
唯样编号 A-AOD2810 A-IPD70N10S312ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 14 -
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@20A,10V -
Rds On(Max)@4.5V 12mΩ -
Qgd(nC) 4 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4355pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
Td(on)(ns) 11.5 -
封装/外壳 TO-252 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
连续漏极电流Id 46A -
工作温度 -55℃~175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 65nC @ 10V
Ciss(pF) 1871 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 11.1 毫欧 @ 70A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Trr(ns) 32 -
Td(off)(ns) 21.5 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 80V -
Pd-功率耗散(Max) 100W -
Qrr(nC) 162 -
VGS(th) 3.4 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 83uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 70A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
Coss(pF) 265 -
Qg*(nC) 26.5* -
库存与单价
库存 6,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2810 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 80V ±20V 46A 100W 8.5mΩ@20A,10V -55℃~175℃

暂无价格 6,000 当前型号
IPD70N10S312ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70N10S3-12_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD70N10S3-12 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70N10S312ATMA1_100V 70A 11.1mΩ 10V 125W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
TK33S10N1Z,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 125W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 100 V 33A(Ta)

暂无价格 0 对比

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