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AOD2810  与  IPD70N10S3-12  区别

型号 AOD2810 IPD70N10S3-12
唯样编号 A-AOD2810 A-IPD70N10S3-12
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 14 -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@20A,10V 11.1mΩ
Rds On(Max)@4.5V 12mΩ -
Qg-栅极电荷 - 51nC
Qgd(nC) 4 -
栅极电压Vgs ±20V 10V
Td(on)(ns) 11.5 -
封装/外壳 TO-252 -
连续漏极电流Id 46A 70A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C
Ciss(pF) 1871 -
配置 - Single
长度 - 6.5mm
下降时间 - 8ns
高度 - 2.3mm
Trr(ns) 32 -
Td(off)(ns) 21.5 -
漏源极电压Vds 80V 100V
Pd-功率耗散(Max) 100W 125W
Qrr(nC) 162 -
VGS(th) 3.4 -
典型关闭延迟时间 - 25ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS-T
典型接通延迟时间 - 17ns
Coss(pF) 265 -
Qg*(nC) 26.5* -
库存与单价
库存 6,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2810 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 80V ±20V 46A 100W 8.5mΩ@20A,10V -55℃~175℃

暂无价格 6,000 当前型号
IPD70N10S312ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70N10S3-12_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPD70N10S3-12 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70N10S312ATMA1_100V 70A 11.1mΩ 10V 125W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
TK33S10N1Z,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 125W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 100 V 33A(Ta)

暂无价格 0 对比

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