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AOD2606  与  NVD5117PLT4G-VF01  区别

型号 AOD2606 NVD5117PLT4G-VF01
唯样编号 A-AOD2606 A-NVD5117PLT4G-VF01
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 16.8 -
Td(off)(ns) 33 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.8mΩ@10V -
ESD Diode No -
漏源极电压Vds 60V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 150W -
Qrr(nC) 125 -
VGS(th) 3.5 -
Qgd(nC) 5 -
栅极电压Vgs 20V -
FET类型 N-Channel -
Td(on)(ns) 18 -
封装/外壳 TO-252 TO252
连续漏极电流Id 46A -
Ciss(pF) 4050 -
Schottky Diode No -
Trr(ns) 26 -
Coss(pF) 345 -
Qg*(nC) 22 Ohms -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2606 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V 20V 46A 150W 6.8mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

80A(Tc) N-Channel 2.5V@100uA 119W(Tc) TO-252-3 150°C(TJ) 60V

¥21.3401 

阶梯数 价格
8: ¥21.3401
10: ¥15.0444
50: ¥9.8891
100: ¥9.2471
300: ¥8.8254
500: ¥8.7392
1,000: ¥8.6721
1,444 对比
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1,217 对比
IRLR3636TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 143W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.8mΩ@50A,10V N-Channel 60V 99A D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR3636PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO252 车规

暂无价格 0 对比

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