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AOD2606  与  IRLR3636TRPBF  区别

型号 AOD2606 IRLR3636TRPBF
唯样编号 A-AOD2606 A-IRLR3636TRPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 49 nC 140 W Hexfet® Power Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 16.8 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.8mΩ@10V 6.8mΩ@50A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 5 -
栅极电压Vgs 20V ±16V
Td(on)(ns) 18 -
封装/外壳 TO-252 D-Pak
连续漏极电流Id 46A 99A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 4050 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3779pF @ 50V
Trr(ns) 26 -
Td(off)(ns) 33 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 150W 143W(Tc)
Qrr(nC) 125 -
VGS(th) 3.5 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3779pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 49nC @ 4.5V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 49nC @ 4.5V
Coss(pF) 345 -
Qg*(nC) 22 Ohms -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD2606 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 60V 20V 46A 150W 6.8mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

80A(Tc) N-Channel 2.5V@100uA 119W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 60V

¥13.2525 

阶梯数 价格
20: ¥13.2525
50: ¥8.72
100: ¥8.1547
500: ¥7.7714
1,000: ¥7.6947
1,217 对比
IRLR3636TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 143W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.8mΩ@50A,10V N-Channel 60V 99A D-Pak

暂无价格 0 对比
RD3L08BGNTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

80A(Tc) N-Channel 2.5V@100uA 119W(Tc) TO-252-3 150℃(TJ) 60V

暂无价格 0 对比
IRLR3636PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 143W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.8mΩ@50A,10V N-Channel 60V 99A D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD90N06S407ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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