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AOD11S60  与  TK12P60W,RVQ  区别

型号 AOD11S60 TK12P60W,RVQ
唯样编号 A-AOD11S60 A-TK12P60W,RVQ
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1.42 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 399mΩ@10V -
ESD Diode No -
产品状态 - 在售
Qgd(nC) 3.8 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 890 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 600uA
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 20 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 25 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252 DPAK
连续漏极电流Id 11A 11.5A(Ta)
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 545 -
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 250 -
Td(off)(ns) 59 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V 600 V
Pd-功率耗散(Max) 208W 100W(Tc)
Qrr(nC) 3300 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 340 毫欧 @ 5.8A,10V
VGS(th) 4.1 -
FET类型 N-Channel N-Channel
FET功能 - 超级结
Coss(pF) 37.3 -
Qg*(nC) 11* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD11S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 20,000 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥2.7324 

阶梯数 价格
20: ¥2.7324
100: ¥2.2671
1,250: ¥2.0691
2,500: ¥1.98
5,343 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
TK12P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 11.5A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD60R380P6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R380P6_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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