首页 > 商品目录 > > > > AOD11S60代替型号比较

AOD11S60  与  IPD80R360P7  区别

型号 AOD11S60 IPD80R360P7
唯样编号 A-AOD11S60 A-IPD80R360P7
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1.42 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 399mΩ@10V 360mΩ
ESD Diode No -
Rth - 1.5K/W
Qgd(nC) 3.8 -
栅极电压Vgs 30V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
Td(on)(ns) 20 -
封装/外壳 TO-252 DPAK (TO-252)
连续漏极电流Id 11A 13A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 545 -
Ptot max - 84.0W
QG - 30.0nC
Schottky Diode No -
Trr(ns) 250 -
Td(off)(ns) 59 -
漏源极电压Vds 600V 800V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 208W -
Qrr(nC) 3300 -
VGS(th) 4.1 -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 13.0nC
Pin Count - 3.0Pins
Mounting - SMT
Coss(pF) 37.3 -
Qg*(nC) 11* -
库存与单价
库存 0 20
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOD11S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STD16N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.036 

阶梯数 价格
20: ¥3.036
100: ¥2.519
1,250: ¥2.299
2,500: ¥2.2
4,085 对比
IPD80R360P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD80R360P7ATMA1_360mΩ 800V 13A DPAK (TO-252) N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 20 对比
STD13N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
FCD380N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

10.2A(Tc) ±20V 106W(Tc) 380m Ohms@5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 10.2A TO-252AA

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售