AOD11S60 与 IPD80R360P7 区别
| 型号 | AOD11S60 | IPD80R360P7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOD11S60 | A-IPD80R360P7 |
| 制造商 | AOS | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | 1.42 | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 399mΩ@10V | 360mΩ |
| ESD Diode | No | - |
| Rth | - | 1.5K/W |
| Qgd(nC) | 3.8 | - |
| 栅极电压Vgs | 30V | 2.5V,3.5V |
| RthJA max | - | 62.0K/W |
| Td(on)(ns) | 20 | - |
| 封装/外壳 | TO-252 | DPAK (TO-252) |
| 连续漏极电流Id | 11A | 13A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| Ciss(pF) | 545 | - |
| Ptot max | - | 84.0W |
| QG | - | 30.0nC |
| Schottky Diode | No | - |
| Trr(ns) | 250 | - |
| Td(off)(ns) | 59 | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 800V |
| Moisture Level | - | 1 Ohms |
| Pd-功率耗散(Max) | 208W | - |
| Qrr(nC) | 3300 | - |
| VGS(th) | 4.1 | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Qgd | - | 13.0nC |
| Pin Count | - | 3.0Pins |
| Mounting | - | SMT |
| Coss(pF) | 37.3 | - |
| Qg*(nC) | 11* | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 20 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STD13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 37,500 | 对比 |
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|
STD16N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 |
|
IPD80R360P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
360mΩ 800V 13A DPAK (TO-252) N-Channel -55°C~150°C 2.5V,3.5V |
暂无价格 | 20 | 对比 |
|
|
STD13N60M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STD11NM65N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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