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AOB7S65L  与  R6007ENJTL  区别

型号 AOB7S65L R6007ENJTL
唯样编号 A-AOB7S65L A33-R6007ENJTL-0
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 650 mΩ @ 3.5A,10V 620mΩ@2.4A,10V
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 104W(Tc) 40W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263(D?Pak) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
连续漏极电流Id 7A(Tc) 7A(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
栅极电荷Qg 9.2nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 390pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
库存与单价
库存 0 900
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥12.6009
50+ :  ¥8.0588
100+ :  ¥7.4935
300+ :  ¥7.1102
500+ :  ¥7.0431
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB7S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel ±30V 650 mΩ @ 3.5A,10V TO-263(D?Pak) 104W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 650V

暂无价格 0 当前型号
R6007ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 7A(Tc) ±20V 40W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥12.6009 

阶梯数 价格
20: ¥12.6009
50: ¥8.0588
100: ¥7.4935
300: ¥7.1102
500: ¥7.0431
900 对比
R6007ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 7A(Tc) ±20V 40W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥12.6009 

阶梯数 价格
20: ¥12.6009
50: ¥8.0588
50 对比
IPB65R660CFDATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R660CFD_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
R6007ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 7A(Tc) ±20V 40W(Tc) 620mΩ@2.4A,10V 150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB65R660CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R660CFDATMA1_650V 6A 594mΩ 20V 62.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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