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AOB7S65L  与  IPB65R660CFDATMA1  区别

型号 AOB7S65L IPB65R660CFDATMA1
唯样编号 A-AOB7S65L A-IPB65R660CFDATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 62.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 650 mΩ @ 3.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 104W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 615pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-263(D?Pak) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 7A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 660 毫欧 @ 2.1A,10V
栅极电荷Qg 9.2nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB7S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 当前型号
R6007ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥8.6146 

阶梯数 价格
20: ¥8.6146
50: ¥7.6181
100: ¥6.7844
500: ¥6.7748
900 对比
R6007ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥8.6146 

阶梯数 价格
20: ¥8.6146
50: ¥7.6181
50 对比
IPB65R660CFDATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R660CFD_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
R6007ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB65R660CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R660CFDATMA1_10mm

暂无价格 0 对比

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