首页 > 商品目录 > > > > AOB7S65L代替型号比较

AOB7S65L  与  IPB65R660CFD  区别

型号 AOB7S65L IPB65R660CFD
唯样编号 A-AOB7S65L A-IPB65R660CFD
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 650 mΩ @ 3.5A,10V 594mΩ
上升时间 - 8ns
漏源极电压Vds 650V 650V
Pd-功率耗散(Max) 104W(Tc) 62.5W
Qg-栅极电荷 - 22nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263(D?Pak) -
连续漏极电流Id 7A(Tc) 6A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD2
长度 - 10mm
栅极电荷Qg 9.2nC @ 10V -
下降时间 - 10ns
典型接通延迟时间 - 9ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB7S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 当前型号
R6007ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥8.6146 

阶梯数 价格
20: ¥8.6146
50: ¥7.6181
100: ¥6.7844
500: ¥6.7748
900 对比
R6007ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

¥8.6146 

阶梯数 价格
20: ¥8.6146
50: ¥7.6181
50 对比
IPB65R660CFDATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R660CFD_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
R6007ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB65R660CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R660CFDATMA1_10mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售