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AOB42S60L  与  IPB60R099CP  区别

型号 AOB42S60L IPB60R099CP
唯样编号 A-AOB42S60L A32-IPB60R099CP
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 109 mΩ @ 21A,10V 90mΩ
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 417W(Tc) 255W
Qg-栅极电荷 - 80nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263(D?Pak) -
连续漏极电流Id 37A(Tc) 31A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 10mm
栅极电荷Qg 40nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 5ns
典型接通延迟时间 - 10ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2800pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 3
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥13.6887
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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