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AOB42S60L  与  IPB60R099CPAATMA1  区别

型号 AOB42S60L IPB60R099CPAATMA1
唯样编号 A-AOB42S60L A-IPB60R099CPAATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 255W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 109 mΩ @ 21A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 417W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2800pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-263(D?Pak) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 37A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.2mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 80nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 105 毫欧 @ 18A,10V
栅极电荷Qg 40nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 31A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB42S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 当前型号
IPB60R099CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R099CPATMA1_10mm

¥13.6887 

阶梯数 价格
1: ¥13.6887
3 对比
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TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB60R125CPATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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