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AOB4184  与  IRL1104STRR  区别

型号 AOB4184 IRL1104STRR
唯样编号 A-AOB4184 A-IRL1104STRR
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 135 -
功率耗散(最大值) - 2.4W(Ta),167W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 13mΩ -
Qgd(nC) 6.4 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3445pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 6.4 -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 50A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 68nC @ 4.5V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 1500 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8 毫欧 @ 62A,10V
Vgs(最大值) - ±16V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 19 -
Td(off)(ns) 29.6 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 50W -
Qrr(nC) 59 -
VGS(th) 3 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 104A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
Coss(pF) 215 -
Qg*(nC) 13.6 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB4184 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 40V 20V 50A 50W 10mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
IRL1104STRR Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BUK661R9-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK661R9-40C_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 2.3V 40V 120A

¥31.2799 

阶梯数 价格
180: ¥31.2799
400: ¥24.4374
800: ¥20.0307
0 对比
BUK7608-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7608-40B_SOT404 N-Channel 157W 175℃ 3V 40V 75A

¥9.6706 

阶梯数 价格
190: ¥9.6706
400: ¥7.4389
800: ¥6.5831
0 对比
BUK7608-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7608-40B_SOT404 N-Channel 157W 175℃ 3V 40V 75A

暂无价格 0 对比

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