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AOB414  与  IRF540ZSPBF  区别

型号 AOB414 IRF540ZSPBF
唯样编号 A-AOB414 A-IRF540ZSPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 55 -
功率耗散(最大值) - 92W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 10 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1770pF @ 25V
栅极电压Vgs 25V -
Td(on)(ns) 12 -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 51A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 1770 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 26.5 毫欧 @ 22A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 20 -
Td(off)(ns) 17 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 150W -
Qrr(nC) 82 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 36A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 100V
Coss(pF) 165 -
Qg*(nC) 28* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB414 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 25V 51A 150W 25mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
AOB414_001 AOS  数据手册 功率MOSFET

6.6A(Ta),51A(Tc) N-Channel ±25V 25 mΩ @ 20A,10V TO-263(D?Pak) 2.5W(Ta),150W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 100V

暂无价格 0 对比
IRF540ZSPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IRL2910STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 100V 55A(Tc) 26mΩ@29A,10V D2PAK

暂无价格 0 对比

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