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AOB29S50L  与  IPB50R140CP  区别

型号 AOB29S50L IPB50R140CP
唯样编号 A-AOB29S50L A-IPB50R140CP
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 150 mΩ @ 14.5A,10V 130mΩ
上升时间 - 14ns
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) 357W(Tc) 192W
Qg-栅极电荷 - 64nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
典型关闭延迟时间 - 80ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263(D?Pak) -
连续漏极电流Id 29A(Tc) 23A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCE
长度 - 10mm
栅极电荷Qg 26.6nC @ 10V -
下降时间 - 8ns
典型接通延迟时间 - 35ns
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB29S50L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 当前型号
IPB50R140CPATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB50R140CP_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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IPB50R140CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB50R140CPATMA1_10mm

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