AOB286L 与 PSMN5R6-100PS,127 区别
| 型号 | AOB286L | PSMN5R6-100PS,127 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOB286L | A-PSMN5R6-100PS,127 | ||||||||
| 制造商 | AOS | Nexperia | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | TO-263 | SOT78 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 70A | 100A | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~175°C | 175°C | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.7mΩ@20A,10V | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 80V | 100V | ||||||||
| 输入电容 | - | 8061pF | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 167W | 306W | ||||||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 5.6mΩ@10V | ||||||||
| 输出电容 | - | 561pF | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | 3V | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 623 | 0 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOB286L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 80V ±20V 70A 167W 5.7mΩ@20A,10V -55°C~175°C |
￥7.7551
|
623 | 当前型号 | ||||||||||
|
STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 219,300 | 对比 | ||||||||||
|
PSMN5R6-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
IPP072N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 6.2mΩ 20V 150W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
PSMN6R5-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 210W 175°C 3V 80V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
