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AOB27S60L  与  STB28NM60ND  区别

型号 AOB27S60L STB28NM60ND
唯样编号 A-AOB27S60L A3-STB28NM60ND
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 2.3 -
Td(off)(ns) 99 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 160mΩ@10V -
ESD Diode No -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 357W -
Qrr(nC) 7500 -
VGS(th) 4 -
Qgd(nC) 8.8 -
栅极电压Vgs 30V -
FET类型 N-Channel -
Td(on)(ns) 31 -
封装/外壳 TO-263 D2PAK
连续漏极电流Id 27A -
Ciss(pF) 1294 -
Schottky Diode No -
Trr(ns) 440 -
Coss(pF) 80 -
Qg*(nC) 26* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB27S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 600V 30V 27A 357W 160mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
R6020KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 231W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 1,025 对比
R6020KNJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

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TO-263-3

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STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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