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AOB270L  与  IPB120N06S4H1ATMA1  区别

型号 AOB270L IPB120N06S4H1ATMA1
唯样编号 A-AOB270L A-IPB120N06S4H1ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 250W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.3 mΩ @ 20A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 75V -
Pd-功率耗散(Max) 2.1W(Ta),500W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 21900pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-263(D?Pak) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 21.5A(Ta),140A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.1 毫欧 @ 100A,10V
栅极电荷Qg 215nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB270L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 当前型号
IRFS7534-7PPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK(7-Lead)

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TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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阶梯数 价格
210: ¥14.8259
400: ¥12.5643
800: ¥11.5269
0 对比
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