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AOB266L  与  IRFS3206PBF  区别

型号 AOB266L IRFS3206PBF
唯样编号 A-AOB266L A-IRFS3206PBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 20 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.2mΩ@10V 3mΩ@75A,10V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 3.8mΩ -
Qgd(nC) 7 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
Td(on)(ns) 21 -
封装/外壳 TO-263 D2PAK
连续漏极电流Id 140A 210A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 5650 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF
Trr(ns) 27 -
Td(off)(ns) 36 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 268W 300W(Tc)
Qrr(nC) 145 -
VGS(th) 3.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6540pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC
Coss(pF) 720 -
Qg*(nC) 65* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

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200: ¥14.1332
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阶梯数 价格
200: ¥14.2095
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IPB120N06S403ATMA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IRFS3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A D2PAK

暂无价格 0 对比

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