AOB20S60L 与 STB25NM60ND 区别
| 型号 | AOB20S60L | STB25NM60ND |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AOB20S60L | A3-STB25NM60ND |
| 制造商 | AOS | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 199mΩ@10A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 266W | - |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO263 | TO-263-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 20A | - |
| 系列 | AOB | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.1V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1038pF @ 100V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 19.8nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 199mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 600V 20A TO263 266W |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STB20N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 47,000 | 对比 |
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STB21NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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STB27NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
|
STB23NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
|
STB25NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
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