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AOB15S65L  与  IPB65R225C7ATMA1  区别

型号 AOB15S65L IPB65R225C7ATMA1
唯样编号 A-AOB15S65L A-IPB65R225C7ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 1.1 -
功率耗散(最大值) - 63W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 290mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 5.3 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 996pF @ 400V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 27 -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 15A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 841 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 225 毫欧 @ 4.8A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 320 -
Td(off)(ns) 90 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 208W -
Qrr(nC) 5500 -
VGS(th) 4 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 240uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 650V
Coss(pF) 58 -
Qg*(nC) 17.2* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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