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AOB1404L  与  IRF1404STRLPBF  区别

型号 AOB1404L IRF1404STRLPBF
唯样编号 A-AOB1404L A-IRF1404STRLPBF
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 0.004 Ohm 200 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 151 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@10V 4mΩ@95A,10V
ESD Diode No -
Qgd(nC) 23 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 16 -
封装/外壳 TO-263 D2PAK
连续漏极电流Id 220A 162A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
Ciss(pF) 3568 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7360pF @ 25V
Trr(ns) 45 -
Td(off)(ns) 54 -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 417W 3.8W(Ta),200W(Tc)
Qrr(nC) 287 -
VGS(th) 3.7 -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 7360pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 200nC @ 10V
Coss(pF) 1388 -
Qg*(nC) 71 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB1404L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 40V 20V 220A 417W 3.9mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
PSMN4R5-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R5-40BS_SOT404 N-Channel 148W 175℃ 3V 40V 100A

¥7.9182 

阶梯数 价格
200: ¥7.9182
400: ¥6.4903
800: ¥5.6437
0 对比
BUK765R3-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK765R3-40E_SOT404 N-Channel 137W 175℃ 3V 40V 75A

¥13.707 

阶梯数 价格
180: ¥13.707
400: ¥10.7086
800: ¥8.7775
0 对比
AUIRLS3114Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

40V ±16V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 122A 3.8mΩ 143W 车规

暂无价格 0 对比
IRF1404STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@95A,10V N-Channel 40V 162A D2PAK

暂无价格 0 对比

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