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AOB1404L  与  IPB80N04S4L04ATMA1  区别

型号 AOB1404L IPB80N04S4L04ATMA1
唯样编号 A-AOB1404L A-IPB80N04S4L04ATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 151 -
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.9mΩ@10V -
ESD Diode No -
Qgd(nC) 23 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4690pF @ 25V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 16 -
封装/外壳 TO-263 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 220A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 175°C(TJ)
Ciss(pF) 3568 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - +20V,-16V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 45 -
Td(off)(ns) 54 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 417W -
Qrr(nC) 287 -
VGS(th) 3.7 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 35uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
Coss(pF) 1388 -
Qg*(nC) 71 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB1404L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
BUK763R6-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R6-40C_SOT404

¥19.0073 

阶梯数 价格
1: ¥19.0073
100: ¥14.0795
400: ¥10.8304
800: ¥9.5844
350 对比
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PSMN2R8-40BS_SOT404

暂无价格 220 对比
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BUK9606-40B_SOT404

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阶梯数 价格
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400: ¥13.7421
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PSMN4R5-40BS_SOT404

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阶梯数 价格
210: ¥6.7395
400: ¥5.7114
800: ¥5.2398
0 对比
IPB80N04S4L04ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB80N04S4L-04_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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