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AOB11S65L  与  STB11NM60T4  区别

型号 AOB11S65L STB11NM60T4
唯样编号 A-AOB11S65L A-STB11NM60T4
制造商 AOS STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-263(D?Pak) TO-263-3
连续漏极电流Id 11A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 399 mΩ @ 5.5A,10V -
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 198W(Tc) -
栅极电荷Qg 13.2nC @ 10V -
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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