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AOB11S65L  与  IPB65R380C6  区别

型号 AOB11S65L IPB65R380C6
唯样编号 A-AOB11S65L A-IPB65R380C6
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 399 mΩ @ 5.5A,10V 380mΩ
上升时间 - 12ns
Qg-栅极电荷 - 39nC
Rth - 1.5K/W
栅极电压Vgs ±30V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
封装/外壳 TO-263(D?Pak) D2PAK (TO-263)
连续漏极电流Id 11A(Tc) 10.6A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
配置 - Single
Ptot max - 83.0W
长度 - 10mm
QG - 39.0nC
下降时间 - 11ns
高度 - 4.4mm
Budgetary Price €€/1k - 0.69
漏源极电压Vds 650V 650V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 198W(Tc) 83W
典型关闭延迟时间 - 110nS
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC6
栅极电荷Qg 13.2nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB11S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 当前型号
IPB65R310CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R310CFDATMA1_10mm

暂无价格 1,000 对比
STB11NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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IPB65R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R380C6ATMA1_10mm D2PAK(TO-263)

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STB11NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB65R310CFDAATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R310CFDA_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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