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AOB11S65L  与  IPB65R310CFDAATMA1  区别

型号 AOB11S65L IPB65R310CFDAATMA1
唯样编号 A-AOB11S65L A-IPB65R310CFDAATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 104.2W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 399 mΩ @ 5.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 650V -
Pd-功率耗散(Max) 198W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1110pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-263(D?Pak) TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
连续漏极电流Id 11A(Tc) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 440uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 310 毫欧 @ 4.4A,10V
栅极电荷Qg 13.2nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 11.4A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 650V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB11S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 当前型号
IPB65R310CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R310CFDATMA1_10mm

暂无价格 1,000 对比
STB11NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB65R380C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R380C6ATMA1_10mm D2PAK(TO-263)

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STB11NM60T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IPB65R310CFDAATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R310CFDA_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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