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AOB11S65L  与  IPB65R310CFD  区别

型号 AOB11S65L IPB65R310CFD
唯样编号 A-AOB11S65L A-IPB65R310CFD
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 399 mΩ @ 5.5A,10V 280mΩ
上升时间 - 7.5ns
Qg-栅极电荷 - 41nC
栅极电压Vgs ±30V 20V
封装/外壳 TO-263(D?Pak) -
连续漏极电流Id 11A(Tc) 11.4A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 7ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1100pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 400µA
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 650V 650V
Pd-功率耗散(Max) 198W(Tc) 104.2W
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCFD2
栅极电荷Qg 13.2nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 11ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 41nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AOB11S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

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IPB65R310CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

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