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AO6602L  与  DMG6601LVT-7  区别

型号 AO6602L DMG6601LVT-7
唯样编号 A-AO6602L A36-DMG6601LVT-7
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N & P-Channel 30 V 110 mO Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 75 mΩ @ 3.1A,10V 55mΩ,110mΩ
上升时间 - 7.4ns,4.6ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.15W 1.3W
Qg-栅极电荷 - 12.3nC,13.8nC
栅极电压Vgs - 500mV,400mV
典型关闭延迟时间 - 31.2ns,18.3ns
FET类型 N+P-Channel N-Channel
封装/外壳 6-TSOP TSOT-26
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.8A,2.5A
系列 - DMG6601
通道数量 - 2Channel
配置 - Dual
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 422pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12.3nC @ 10V
栅极电荷Qg 8.5nC @ 10V -
下降时间 - 15.6ns,2.2ns
典型接通延迟时间 - 1.6ns,1.7ns
库存与单价
库存 0 6,904
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.7084
200+ :  ¥0.5408
1,500+ :  ¥0.4706
3,000+ :  ¥0.416
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO6602L AOS  数据手册 功率MOSFET

N+P-Channel 75 mΩ @ 3.1A,10V 6-TSOP 1.15W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 当前型号
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A

¥0.7304 

阶梯数 价格
70: ¥0.7304
200: ¥0.5564
1,500: ¥0.4849
3,000: ¥0.429
8,578 对比
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel

¥0.7084 

阶梯数 价格
80: ¥0.7084
200: ¥0.5408
1,500: ¥0.4706
3,000: ¥0.416
6,904 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A

¥1.683 

阶梯数 价格
30: ¥1.683
94 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A

¥0.6829 

阶梯数 价格
1: ¥0.6829
1 对比
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A

暂无价格 0 对比

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