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AO6602L  与  FDC6333C  区别

型号 AO6602L FDC6333C
唯样编号 A-AO6602L A32-FDC6333C
制造商 AOS ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 75 mΩ @ 3.1A,10V 95m Ohms@2.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.15W 700mW
FET类型 N+P-Channel N+P-Channel
封装/外壳 6-TSOP SuperSOT
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.5A/2A
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 282pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6.6nC @ 10V
栅极电荷Qg 8.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 1
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO6602L AOS  数据手册 功率MOSFET

N+P-Channel 75 mΩ @ 3.1A,10V 6-TSOP 1.15W -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 当前型号
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A

¥0.7304 

阶梯数 价格
70: ¥0.7304
200: ¥0.5564
1,500: ¥0.4849
3,000: ¥0.429
8,578 对比
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel

¥0.7084 

阶梯数 价格
80: ¥0.7084
200: ¥0.5408
1,500: ¥0.4706
3,000: ¥0.416
6,904 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A

¥1.683 

阶梯数 价格
30: ¥1.683
94 对比
FDC6333C ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A

¥0.6829 

阶梯数 价格
1: ¥0.6829
1 对比
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A

暂无价格 0 对比

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