首页 > 商品目录 > > > > AO6415代替型号比较

AO6415  与  ZXM62P02E6TA  区别

型号 AO6415 ZXM62P02E6TA
唯样编号 A-AO6415 A3-ZXM62P02E6TA
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXM62P02E6 20 V 0.2 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 37 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 82mΩ@10V 200mΩ@1.6A,4.5V
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@4.5V 100mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 140mΩ -
Qgd(nC) 0.9 -
栅极电压Vgs 12V ±12V
Td(on)(ns) 11 -
封装/外壳 TSOP-6 SOT-23
连续漏极电流Id -3.3A 2.3A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 325 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.7V,4.5V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 6.1 -
Td(off)(ns) 22 Ohms -
漏源极电压Vds -20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W 1.1W(Ta)
Qrr(nC) 1.4 -
VGS(th) -1.2 -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 320pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.8nC @ 4.5V
Coss(pF) 63 -
Qg*(nC) 3.2 -
库存与单价
库存 9,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥1.0256
100+ :  ¥0.8163
1,000+ :  ¥0.5882
1,500+ :  ¥0.5063
3,000+ :  ¥0.4
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO6415 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥1.0256 

阶梯数 价格
1: ¥1.0256
100: ¥0.8163
1,000: ¥0.5882
1,500: ¥0.5063
3,000: ¥0.4
9,000 当前型号
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥2.805 

阶梯数 价格
20: ¥2.805
100: ¥2.255
750: ¥2.002
1,500: ¥1.892
1,587 对比
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
AO6415L AOS 功率MOSFET

6-TSOP

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售