AO6415 与 ZXM62P02E6TA 区别
| 型号 | AO6415 | ZXM62P02E6TA | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO6415 | A-ZXM62P02E6TA | ||||||||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||||
| 描述 | ZXM62P02E6 20 V 0.2 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23-6 | |||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| Crss(pF) | 37 | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 82mΩ@10V | 200mΩ@1.6A,4.5V | ||||||||||
| ESD Diode | Yes | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 100mΩ | - | ||||||||||
| Rds On(Max)@2.5V | 140mΩ | - | ||||||||||
| Qgd(nC) | 0.9 | - | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | 12V | ±12V | ||||||||||
| Td(on)(ns) | 11 | - | ||||||||||
| 封装/外壳 | TSOP-6 | SOT-23 | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | -3.3A | 2.3A | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| Ciss(pF) | 325 | - | ||||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.7V,4.5V | ||||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||||
| Trr(ns) | 6.1 | - | ||||||||||
| Td(off)(ns) | 22 Ohms | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | -20V | 20V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 1.25W | 1.1W(Ta) | ||||||||||
| Qrr(nC) | 1.4 | - | ||||||||||
| VGS(th) | -1.2 | - | ||||||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 700mV @ 250µA | ||||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 320pF @ 15V | ||||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.8nC @ 4.5V | ||||||||||
| Coss(pF) | 63 | - | ||||||||||
| Qg*(nC) | 3.2 | - | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 0 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 56 - 70天 | ||||||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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AO6415 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -20V 12V -3.3A 1.25W 82mΩ@10V |
￥1.0256
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3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.1W(Ta) 200mΩ@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.3A |
￥2.029
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.1W(Ta) 200mΩ@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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ZXM62P02E6TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.1W(Ta) 200mΩ@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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