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AO6409A  与  RTQ035P02TR  区别

型号 AO6409A RTQ035P02TR
唯样编号 A-AO6409A A-RTQ035P02TR
制造商 AOS ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 80 -
功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 41mΩ@4.5V -
ESD Diode Yes -
Rds On(Max)@1.8V 65mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 53mΩ -
Qgd(nC) 2.2 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 10V
栅极电压Vgs 8V -
Td(on)(ns) 13 -
封装/外壳 TSOP-6 TSMT6(SC-95)
连续漏极电流Id -5.5A -
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 751 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 65 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 26 -
Td(off)(ns) 19 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -20V -
Pd-功率耗散(Max) 2.1W -
Qrr(nC) 51 -
VGS(th) -0.9 -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 1mA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 20V
Coss(pF) 115 -
Qg*(nC) 9.3 -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 10.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO6409A AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

暂无价格 0 当前型号
AO6409 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥2.475 

阶梯数 价格
30: ¥2.475
100: ¥1.991
435 对比
RTQ035P02TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
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