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AO6404  与  TPC6012(TE85L,F,M)  区别

型号 AO6404 TPC6012(TE85L,F,M)
唯样编号 A-AO6404 A-TPC6012(TE85L,F,M)
制造商 AOS Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 200 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@1.8V 33mΩ -
Rds On(Max)@4.5V 18mΩ -
Rds On(Max)@2.5V 24mΩ -
产品状态 - 最后售卖
Qgd(nC) 4.7 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 630 pF @ 10 V
Vgs(th) - 1.2V @ 200uA
栅极电压Vgs 12V -
Td(on)(ns) 2.5 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9 nC @ 5 V
封装/外壳 TSOP-6 VS-6(2.9x2.8)
连续漏极电流Id 8.6A 6A(Ta)
工作温度 - 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1810 -
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 22 Ohms -
Td(off)(ns) 49 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V 20 V
Pd-功率耗散(Max) 2W 700mW(Ta)
Qrr(nC) 9.8 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 20 毫欧 @ 3A,4.5V
VGS(th) 1 Ohms -
FET类型 N-Channel N-Channel
Coss(pF) 232 -
Qg*(nC) 17.9 -
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥1.5385
100+ :  ¥1.2245
1,000+ :  ¥0.8824
1,500+ :  ¥0.7595
3,000+ :  ¥0.6
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AO6404 AOS  数据手册 功率MOSFET

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