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AO6403  与  BSL307SP  区别

型号 AO6403 BSL307SP
唯样编号 A-AO6403 A-BSL307SP
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 95 -
宽度 - 1.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 35mΩ@10V 74mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 8.4ns
Rds On(Max)@4.5V 58mΩ -
Qgd(nC) 3.2 -
栅极电压Vgs 20V 20V
Td(on)(ns) 8 -
封装/外壳 TSOP-6 PG-TSOP6-6
连续漏极电流Id -6A 5.5A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 760 -
配置 - SingleQuadDrain
长度 - 3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 29ns
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 40µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 805pF @ 25V
高度 - 1.10mm
Trr(ns) 15 -
Td(off)(ns) 17 -
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2W
Qrr(nC) 9.7 -
VGS(th) -2.4 -
典型关闭延迟时间 - 36.4ns
FET类型 P-Channel P-Channel
通道数量 - 1Channel
典型接通延迟时间 - 7.3ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
Coss(pF) 140 -
Qg*(nC) 6.7 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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