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AO4842  与  ZXMN3A04DN8TA  区别

型号 AO4842 ZXMN3A04DN8TA
唯样编号 A-AO4842 A36-ZXMN3A04DN8TA
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 41 -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 30mΩ -
Qgd(nC) 1.7 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1890pF @ 15V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 4.5 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 36.8nC @ 10V
封装/外壳 SO-8 8-SO
连续漏极电流Id 7.7A 6.5A
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 373 -
Schottky Diode No -
导通电阻Rds(On) 21mΩ@10V -
Trr(ns) 10.5 -
Td(off)(ns) 14.9 -
功率耗散Pd 2W 1.81W
漏源极电压Vds 30V 30V
Qrr(nC) 4.5 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 20mΩ@12.6A,10V
VGS(th) 2.6 -
FET类型 N-Channel 2N-Channel
Coss(pF) 67 -
Qg*(nC) 3.5 -
库存与单价
库存 0 486
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥6.948
10+ :  ¥5.34
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4842 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
NTMD4N03R2G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

暂无价格 37,500 对比
SH8KA4TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A

¥3.306 

阶梯数 价格
50: ¥3.306
100: ¥2.7119
300: ¥2.3094
500: ¥2.2327
1,000: ¥2.1753
1,990 对比
SH8KA4TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A

¥3.306 

阶梯数 价格
50: ¥3.306
100: ¥2.7119
300: ¥2.3094
500: ¥2.2327
1,000: ¥2.1753
1,452 对比
ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 1.81W 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.5A

¥6.948 

阶梯数 价格
8: ¥6.948
10: ¥5.34
486 对比
SH8KA4TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A

¥8.0438 

阶梯数 价格
1: ¥8.0438
100: ¥4.5608
1,250: ¥2.8916
2,500: ¥2.1542
100 对比

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