AO4842 与 DMG4822SSD-13 区别
| 型号 | AO4842 | DMG4822SSD-13 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AO4842 | A36-DMG4822SSD-13 | ||||||||
| 制造商 | AOS | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Crss(pF) | 41 | - | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21mΩ@10V | 20mΩ | ||||||||
| ESD Diode | No | - | ||||||||
| 上升时间 | - | 7.9ns | ||||||||
| Rds On(Max)@4.5V | 30mΩ | - | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 10.5nC | ||||||||
| Qgd(nC) | 1.7 | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | 20V | 25V | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 200mS | ||||||||
| Td(on)(ns) | 4.5 | - | ||||||||
| 封装/外壳 | SO-8 | SO-8 | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 7.7A | 10A | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||||||
| Ciss(pF) | 373 | - | ||||||||
| 配置 | - | Dual | ||||||||
| 下降时间 | - | 3.1ns | ||||||||
| Schottky Diode | No | - | ||||||||
| Trr(ns) | 10.5 | - | ||||||||
| Td(off)(ns) | 14.9 | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | 1.42W | ||||||||
| Qrr(nC) | 4.5 | - | ||||||||
| VGS(th) | 2.6 | - | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 14.6ns | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 系列 | - | DMG4822 | ||||||||
| 通道数量 | - | 2Channel | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 2.9ns | ||||||||
| Coss(pF) | 67 | - | ||||||||
| Qg*(nC) | 3.5 | - | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,500 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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NTMD4N03R2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
暂无价格 | 37,500 | 对比 | ||||||||||||||
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IRF7303TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 50mΩ@2.4A,10V 2W N-Channel 30V 4.9A 8-SO |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||||
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DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
10A 1.42W 20mΩ 30V 25V SO-8 -55°C~150°C N-Channel |
￥1.991
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2,500 | 对比 | ||||||||||||||
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SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥5.4908
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1,990 | 对比 | ||||||||||||||
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|
SH8KA4TB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
21.4mΩ@9A,10V 3W -55°C~150°C(TJ) SOP N-Channel 30V 9A |
￥5.4908
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1,452 | 对比 |
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